91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2094TL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2094TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K2094TL-VB
K2094TL-VB是一款高效的N溝道功率MOSFET,封裝為TO252,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。其漏源極電壓(VDS)為60V,最大柵源極電壓(VGS)為±20V,適合多種功率轉(zhuǎn)換場合。該器件的導(dǎo)通電阻在VGS為4.5V時為85mΩ,而在10V時為73mΩ,具有優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低開關(guān)損耗。電流能力為18A,采用了先進的Trench技術(shù),能提供出色的電氣性能和熱管理能力。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  K2094TL-VB非常適合在各種DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用,包括Buck和Boost轉(zhuǎn)換器。這種低導(dǎo)通電阻特性使其在高效電源轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)優(yōu)越,幫助提高整體效率,降低熱量產(chǎn)生。

2. **電池管理系統(tǒng)**  
  在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,K2094TL-VB可用作功率開關(guān),幫助實現(xiàn)高效的電池充放電管理。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化電池使用效率,延長電池壽命。

3. **電機控制應(yīng)用**  
  由于其高電流能力,K2094TL-VB在電機控制應(yīng)用中也非常適用,包括無刷直流電機(BLDC)驅(qū)動和步進電機控制。這些應(yīng)用需要快速的開關(guān)特性和可靠的電流承載能力。

4. **LED驅(qū)動電源**  
  該MOSFET可以在LED驅(qū)動電源中發(fā)揮重要作用。由于其出色的導(dǎo)通性能和效率,K2094TL-VB適用于各種LED照明產(chǎn)品,確保在高亮度和高效率下工作。

綜上所述,K2094TL-VB在低電壓、高電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合高效能與可靠性要求較高的電源轉(zhuǎn)換和控制模塊。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    499瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    421瀏覽量