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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2154-TL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2154-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K2154-TL-E-VB
K2154-TL-E-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源極電壓(VDS)為20V,適用于多種高效能電源管理和驅(qū)動電路。該器件在VGS為2.5V時的導通電阻(RDS(ON))為6mΩ,在4.5V時更低至4.5mΩ,具有極低的導通損耗,電流能力高達100A。K2154-TL-E-VB采用了Trench技術(shù),確保了優(yōu)異的電氣性能和熱管理能力,非常適合在要求高效率和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境中使用。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓(VDS)**: 20V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流(ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
1. **電源管理模塊**  
  K2154-TL-E-VB廣泛應(yīng)用于電源管理模塊中,其20V的低電壓能力使其能夠在高效能電源設(shè)計中充當開關(guān),極低的導通電阻大大降低了能量損耗,從而提高了整體效率。

2. **電動汽車驅(qū)動**  
  在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,K2154-TL-E-VB可作為高效的功率開關(guān),支持高達100A的電流承載能力,確保電動機的平穩(wěn)運行和快速響應(yīng),提升了動力系統(tǒng)的性能。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠在低電壓和高電流條件下高效工作,滿足電源轉(zhuǎn)換的高效率要求,是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵組件。

4. **LED驅(qū)動電路**  
  K2154-TL-E-VB在LED驅(qū)動電路中也表現(xiàn)出色,通過其低導通電阻與高電流能力,有效地驅(qū)動LED陣列,為照明系統(tǒng)提供穩(wěn)定而高效的電源。

綜上所述,K2154-TL-E-VB在低電壓和高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于多種電源管理、電動汽車驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,為用戶提供高效、可靠的解決方案。

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