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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2329STL-E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2329STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

K2329STL-E-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏源極電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)可達(dá)70A,具有出色的電流承載能力。該MOSFET的導(dǎo)通電阻在VGS為10V時(shí)僅為7mΩ,能有效降低開關(guān)損耗和熱量產(chǎn)生,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。K2329STL-E-VB采用Trench技術(shù),提供了良好的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高效能電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號(hào)**: K2329STL-E-VB
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:

1. **電源管理**:
  K2329STL-E-VB在電源管理應(yīng)用中非常有效,尤其在DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力可以提升電源轉(zhuǎn)換效率,降低能耗,適合于各種電子設(shè)備的電源模塊。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET特別適合用于直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。憑借其高電流處理能力和快速開關(guān)特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)控制,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人及家用電器等領(lǐng)域。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  K2329STL-E-VB可應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電路,利用其出色的開關(guān)性能和低損耗特性,確保LED在各種照明系統(tǒng)中的穩(wěn)定運(yùn)行,適用于商業(yè)照明和智能家居照明解決方案。

4. **充電器和適配器**:
  該器件還可用于充電器和電源適配器的設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻可減少功率損耗,提升整體能效,使其成為高性能充電方案中的理想選擇。

K2329STL-E-VB以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用適用性,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組件,滿足各類高效能電源和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的需求。

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