91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2504TL-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2504TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2504TL-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2504TL-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為中高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有100V的最大漏源電壓(VDS)。該器件的最大漏極電流(ID)可達(dá)到15A,適合在多個(gè)電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)和信號(hào)調(diào)節(jié)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為114mΩ@VGS=10V)在保持較低功耗的同時(shí),確保了出色的導(dǎo)通性能。閾值電壓(Vth)為1.8V,使得該MOSFET在低電壓下便能快速開(kāi)啟,非常適合用于低電壓控制的應(yīng)用場(chǎng)景。K2504TL-VB采用先進(jìn)的Trench技術(shù),進(jìn)一步提高了其熱性能和可靠性,是電源管理、開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域的理想選擇。

### 二、K2504TL-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 100V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓(Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 114mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 15A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  K2504TL-VB非常適合用于電源管理模塊中,比如高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器。其較低的導(dǎo)通電阻能夠降低功率損耗,從而提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率,使其在消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。

2. **開(kāi)關(guān)電源**  
  在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,K2504TL-VB可以作為開(kāi)關(guān)元件,能夠快速切換和控制電流,有效地將輸入電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓。它的高電流承載能力和快速開(kāi)關(guān)特性使其在電源設(shè)計(jì)中不可或缺。

3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**  
  該MOSFET也適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,可以控制大電流通過(guò)LED,確保其穩(wěn)定發(fā)光。由于其較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱性能,K2504TL-VB能夠有效地減少LED驅(qū)動(dòng)過(guò)程中的能量損耗,延長(zhǎng)LED的使用壽命。

4. **電機(jī)控制**  
  在電機(jī)控制領(lǐng)域,K2504TL-VB可以用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,作為開(kāi)關(guān)元件控制電流的通斷,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速和方向的精確控制。它的高效性能使其在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人技術(shù)中具備廣泛應(yīng)用前景。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,K2504TL-VB在電源管理和控制領(lǐng)域展現(xiàn)出其強(qiáng)大的功能和廣泛的適用性,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和高可靠性的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    499瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量