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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2530-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2530-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2530-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K2530-VB 是一款高效能的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO252** 封裝,設(shè)計用于中高壓電源應(yīng)用。其 **最大漏源電壓 (VDS)** 為 250V,確保在多種電源管理系統(tǒng)中穩(wěn)定運行。該器件的 **門源電壓 (VGS)** 為 ±20V,提供足夠的驅(qū)動能力以滿足不同的電路需求。其 **閾值電壓 (Vth)** 為 3V,使得 MOSFET 在較低的驅(qū)動電壓下也能正常開啟。K2530-VB 的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 在 VGS=10V 時為 640mΩ,表現(xiàn)出良好的電流承載能力,適合用于高功率應(yīng)用。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:K2530-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:250V
- **門源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4.5A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:適合在多種環(huán)境條件下使用,提供可靠性和穩(wěn)定性。

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K2530-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中有著廣泛的應(yīng)用,以下是一些具體示例:

1. **電源管理系統(tǒng)**:在電源轉(zhuǎn)換器和適配器中,K2530-VB 可作為開關(guān)元件,提供高效的功率轉(zhuǎn)換,適合用于個人電腦電源和工業(yè)電源模塊。

2. **電機控制**:該 MOSFET 可用于各種電動機驅(qū)動應(yīng)用,支持高電流和高電壓的運行,適合用于家電、機器人及工業(yè)設(shè)備中的電動機控制。

3. **逆變器和轉(zhuǎn)換器**:在太陽能逆變器和其他類型的 DC-AC 轉(zhuǎn)換器中,K2530-VB 可用作開關(guān)元件,有效提高系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率,支持可再生能源的利用。

4. **高效功率放大器**:在音頻放大器和射頻應(yīng)用中,K2530-VB 可以用作功率開關(guān),滿足高功率輸出要求,確保良好的音頻信號放大效果。

K2530-VB 是一款可靠的高壓 MOSFET,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功率管理、高效率和穩(wěn)定性的需求。

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