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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2663-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2663-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2700mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2663-VB產(chǎn)品簡介

K2663-VB是一款高電壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要高阻抗和中等電流的應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為900V,適合在高電壓環(huán)境中使用,能夠有效應(yīng)對電源電壓波動帶來的挑戰(zhàn)。K2663-VB的柵閾值電壓(Vth)為3.5V,支持較低的柵電壓以實現(xiàn)快速開關(guān)。盡管其最大漏極電流(ID)為2A,但在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)越。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2700mΩ@VGS=10V,采用SJ_Multi-EPI技術(shù),提供了較好的熱性能和可靠性,適合多種高電壓電子設(shè)備。

### 二、K2663-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 900V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 2A  
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高壓電源管理**  
  K2663-VB常用于高壓電源管理系統(tǒng),能夠處理900V的輸入電壓。它在電源適配器和電源模塊中提供高效的開關(guān)控制,確保穩(wěn)定的電壓輸出。

2. **電動工具**  
  在電動工具的電源管理中,K2663-VB被用作功率開關(guān),控制電動機(jī)的啟動和運行。由于其高壓耐受能力,可以滿足電動工具在不同負(fù)載下的需求。

3. **家電設(shè)備**  
  K2663-VB可用于家電設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換器,例如微波爐和洗衣機(jī)等產(chǎn)品。它能夠在高電壓環(huán)境下安全運行,提供可靠的電源控制。

4. **電源逆變器**  
  此型號MOSFET在電源逆變器中也有應(yīng)用,負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,尤其適合在高壓太陽能逆變器中使用,確保高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。

綜上所述,K2663-VB憑借其高電壓能力和良好的熱性能,適用于多種高電壓電子應(yīng)用,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對性能和可靠性的要求。

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