91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K2684-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2684-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2684-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2684-VB 是一款高效的 **單N溝道** MOSFET,采用 **TO252** 封裝,專(zhuān)為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 **漏源電壓 (VDS)** 為 **30V**,適用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件的 **門(mén)源電壓 (VGS)** 可達(dá) ±20V,確保靈活的驅(qū)動(dòng)選項(xiàng)。K2684-VB 的 **閾值電壓 (Vth)** 為 1.7V,使其能夠在較低電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的導(dǎo)通。其出色的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 分別為 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,確保在高電流條件下的低功耗和高效能。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:K2684-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **門(mén)源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench,適合高效低壓應(yīng)用
- **工作溫度范圍**:適合各種環(huán)境

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K2684-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,K2684-VB 可用于開(kāi)關(guān)電源和線性電源中,提供高效的電流開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓功能。

2. **電機(jī)控制**:該 MOSFET 適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,能夠高效控制直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī),確??焖夙憫?yīng)和高功率輸出。

3. **充電器**:在移動(dòng)設(shè)備和電池充電器中,K2684-VB 能夠有效管理充電電流,支持高效的充電過(guò)程,提升整體充電速度。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:由于其低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 可用于 LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中,實(shí)現(xiàn)高效的能量傳遞和較長(zhǎng)的使用壽命。

5. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,K2684-VB 可應(yīng)用于各種控制電路,如電動(dòng)窗、車(chē)載充電器等,提供可靠的開(kāi)關(guān)控制。

K2684-VB 是一款高性能 MOSFET,適合廣泛的低電壓、高電流應(yīng)用,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需求,是電源管理和驅(qū)動(dòng)控制的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    499瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    421瀏覽量