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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2885S-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2885S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2885S-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2885S-VB 是一款高效的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝,基于先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì)。這款器件的最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 30V,最大漏極電流 (ID) 可達(dá)到 70A,適合高電流和高效率的應(yīng)用。K2885S-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 和 10V 的柵極電壓下分別為 9mΩ 和 7mΩ,確保在各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具備優(yōu)異的性能,降低能量損耗,提高整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **封裝特性**:TO252 封裝設(shè)計(jì)提供良好的散熱性能,適合高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:
  K2885S-VB 非常適合用于**開(kāi)關(guān)電源**和**DC-DC 轉(zhuǎn)換器**。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,該 MOSFET 能顯著提升電源轉(zhuǎn)換的效率,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源和電力管理系統(tǒng)中,以滿足高效能和低能耗的需求。

2. **電機(jī)控制**:
  在**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**和控制系統(tǒng)中,K2885S-VB 可用作高效開(kāi)關(guān)元件,提供穩(wěn)定的電流輸出。其快速開(kāi)關(guān)特性和高負(fù)載能力,使其在電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中表現(xiàn)卓越,適用于電動(dòng)工具和家電等領(lǐng)域的電機(jī)應(yīng)用。

3. **消費(fèi)電子**:
  該 MOSFET 還可廣泛應(yīng)用于**消費(fèi)電子產(chǎn)品**的電源模塊,例如便攜式設(shè)備的充電器和智能家居設(shè)備。K2885S-VB 的高效能和小型化設(shè)計(jì),使其成為現(xiàn)代消費(fèi)電子設(shè)備的理想選擇,滿足市場(chǎng)對(duì)高效率和低功耗的需求。

4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
  K2885S-VB 適用于**LED 照明系統(tǒng)**中的驅(qū)動(dòng)電路,其低 RDS(ON) 可有效降低功率損耗,確保穩(wěn)定的電流供應(yīng)。這使得其在各種 LED 應(yīng)用中,尤其是需要高功率和高效率的場(chǎng)合表現(xiàn)優(yōu)異。

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