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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2982-Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2982-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2982-Z-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2982-Z-VB 是一款高性能的單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝設(shè)計(jì),專為應(yīng)對(duì)低電壓、高電流應(yīng)用而開發(fā)。該器件具有最大漏極-源極電壓 (VDS) 達(dá)到 30V,最大漏極電流 (ID) 高達(dá) 80A,適合在電氣條件嚴(yán)格的環(huán)境中使用。K2982-Z-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 的柵極電壓下僅為 5mΩ,確保了出色的能效和低功耗特性,非常適合用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **熱阻 (RθJA)**:優(yōu)化設(shè)計(jì)以適應(yīng)高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**:
  K2982-Z-VB 在**電源管理**領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在降低功耗的同時(shí),提供穩(wěn)定的電流輸出,滿足各種電子設(shè)備對(duì)電源的高效能需求。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  此 MOSFET 非常適合用于**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**應(yīng)用,如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。其高電流處理能力和快速開關(guān)特性使其在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人技術(shù)中具備可靠性和高效性。

3. **開關(guān)應(yīng)用**:
  K2982-Z-VB 也可用于**開關(guān)應(yīng)用**,在開關(guān)電源和轉(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)優(yōu)異。其響應(yīng)時(shí)間快和低導(dǎo)通損耗,使其成為高頻開關(guān)電路的理想選擇,有助于提高電路的整體效率。

4. **消費(fèi)電子**:
  在**消費(fèi)電子產(chǎn)品**中,如智能手機(jī)、平板電腦等,K2982-Z-VB 可以用于電源管理和信號(hào)放大,提供高效、穩(wěn)定的性能。這對(duì)于追求便攜和高效能的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。

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