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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3124-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3124-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

K3124-VB是一款高電壓單N溝道MOSFET,封裝為TO252,專為電壓高達650V的應(yīng)用設(shè)計。其柵極電壓范圍為±30V,具有3.5V的閾值電壓(Vth),使其在開啟和關(guān)閉狀態(tài)下具有較高的控制精度。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極電壓下的表現(xiàn)為:在VGS為4.5V時為2750mΩ,在VGS為10V時為2200mΩ,最大漏極電流(ID)為4A。采用先進的平面(Plannar)技術(shù),K3124-VB在高電壓、高可靠性和低功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異,適用于多種高壓電氣系統(tǒng)和設(shè)備。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 2750mΩ @ VGS=4.5V  
 - 2200mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:4A  
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)  
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C  
- **適用頻率**:中高頻開關(guān)應(yīng)用

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高壓電源**:K3124-VB在高壓電源管理系統(tǒng)中被廣泛應(yīng)用,能夠處理650V的高電壓,適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器等高壓電源設(shè)備,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **照明設(shè)備**:該MOSFET可用于高壓LED照明電路中,通過提供穩(wěn)定的電流來驅(qū)動LED,確保燈具在高壓條件下的可靠性和性能,適用于街道照明、商業(yè)照明等。

3. **電機驅(qū)動**:在電動機控制中,K3124-VB能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,適合用于高壓電動機驅(qū)動應(yīng)用,如家用電器和工業(yè)設(shè)備,為設(shè)備提供可靠的啟動和運行性能。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,該MOSFET可用于高壓電源分配和信號調(diào)理電路,支持汽車中各類電子設(shè)備的高效運行,確保車輛的電氣系統(tǒng)在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性。

通過這些應(yīng)用,K3124-VB展現(xiàn)了其在高電壓和高效能應(yīng)用中的優(yōu)異性能,成為現(xiàn)代高壓電氣設(shè)計中的重要組件。

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