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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3133S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3133S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K3133S-VB 是一款高性能的單通道N型功率MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源極電壓(VDS)為30V,柵源極電壓(VGS)達(dá)到±20V,具有優(yōu)秀的電氣性能。該MOSFET 的閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V柵源電壓下僅為5mΩ,表明其在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗極低,適合高電流應(yīng)用。其設(shè)計采用了高效的Trench技術(shù),確保在高負(fù)載條件下具有良好的散熱性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **漏源極電壓 (VDS)**: 30V  
2. **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
3. **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
4. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 5mΩ @ VGS=10V  
  - 6mΩ @ VGS=4.5V  
5. **最大漏極電流 (ID)**: 80A  
6. **封裝類型**: TO252  
7. **技術(shù)類型**: Trench(溝槽技術(shù))  
8. **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
9. **功率耗散**: 45W  
10. **開關(guān)速度**: 快,適合高頻應(yīng)用  

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:
1. **電源管理**: K3133S-VB 非常適合用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,因其低導(dǎo)通電阻可有效減少能量損耗,提高能效。

2. **電動汽車**: 該MOSFET 可在電動汽車的動力管理系統(tǒng)中使用,幫助實現(xiàn)高效的電源開關(guān)和電流控制,適合高電流負(fù)載。

3. **LED驅(qū)動**: 在LED照明設(shè)備中,K3133S-VB 可以作為驅(qū)動開關(guān),提供穩(wěn)定的電流,確保燈具高效且穩(wěn)定的工作。

4. **家用電器**: 適合于家用電器中的功率開關(guān)和控制應(yīng)用,例如冰箱、洗衣機(jī)等的電源控制系統(tǒng),提升產(chǎn)品的效率。

5. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)設(shè)備中,該MOSFET 可以用于驅(qū)動電機(jī)和其他負(fù)載,提供快速、可靠的開關(guān)控制,適用于機(jī)器人和自動化系統(tǒng)。

6. **可再生能源系統(tǒng)**: K3133S-VB 在太陽能逆變器中可以用作高效開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,支持清潔能源的利用。

7. **通信設(shè)備**: 該器件還適用于通信設(shè)備的電源管理模塊,能夠高效地處理大電流負(fù)載,提升設(shè)備的穩(wěn)定性與性能。

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