--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
K3133S-VB 是一款高性能的單通道N型功率MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源極電壓(VDS)為30V,柵源極電壓(VGS)達(dá)到±20V,具有優(yōu)秀的電氣性能。該MOSFET 的閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V柵源電壓下僅為5mΩ,表明其在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗極低,適合高電流應(yīng)用。其設(shè)計采用了高效的Trench技術(shù),確保在高負(fù)載條件下具有良好的散熱性能和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
2. **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
3. **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
4. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=10V
- 6mΩ @ VGS=4.5V
5. **最大漏極電流 (ID)**: 80A
6. **封裝類型**: TO252
7. **技術(shù)類型**: Trench(溝槽技術(shù))
8. **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
9. **功率耗散**: 45W
10. **開關(guān)速度**: 快,適合高頻應(yīng)用
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:
1. **電源管理**: K3133S-VB 非常適合用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,因其低導(dǎo)通電阻可有效減少能量損耗,提高能效。
2. **電動汽車**: 該MOSFET 可在電動汽車的動力管理系統(tǒng)中使用,幫助實現(xiàn)高效的電源開關(guān)和電流控制,適合高電流負(fù)載。
3. **LED驅(qū)動**: 在LED照明設(shè)備中,K3133S-VB 可以作為驅(qū)動開關(guān),提供穩(wěn)定的電流,確保燈具高效且穩(wěn)定的工作。
4. **家用電器**: 適合于家用電器中的功率開關(guān)和控制應(yīng)用,例如冰箱、洗衣機(jī)等的電源控制系統(tǒng),提升產(chǎn)品的效率。
5. **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)設(shè)備中,該MOSFET 可以用于驅(qū)動電機(jī)和其他負(fù)載,提供快速、可靠的開關(guān)控制,適用于機(jī)器人和自動化系統(tǒng)。
6. **可再生能源系統(tǒng)**: K3133S-VB 在太陽能逆變器中可以用作高效開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,支持清潔能源的利用。
7. **通信設(shè)備**: 該器件還適用于通信設(shè)備的電源管理模塊,能夠高效地處理大電流負(fù)載,提升設(shè)備的穩(wěn)定性與性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12