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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3134-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3134-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3134-VB 產(chǎn)品簡介

K3134-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,適用于廣泛的電子設(shè)備。其柵源電壓 (VGS) 的極限為 ±20V,使其在多種應(yīng)用中具有良好的適應(yīng)性。K3134-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確??焖匍_啟和關(guān)閉,提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 3mΩ,而在 VGS=10V 時為 2mΩ,顯示出極低的能量損耗,并使其在最大持續(xù)電流 (ID) 可達(dá) 100A 的條件下,具備優(yōu)異的電流承載能力。K3134-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具備卓越的熱性能和高效能,使其在各類應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

### K3134-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 說明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型號                  | K3134-VB               |
| 封裝                  | TO252                  |
| 配置                  | 單個 N 溝道              |
| 漏源電壓 (VDS)       | 30V                    |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V                   |
| 閾值電壓 (Vth)       | 1.7V                   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))    | 3mΩ @ VGS=4.5V        |
|                       | 2mΩ @ VGS=10V         |
| 最大持續(xù)電流 (ID)    | 100A                   |
| 技術(shù)                  | Trench                 |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:K3134-VB 非常適合用于高效的開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),能夠在高負(fù)載條件下運(yùn)行,并確保最低的能量損耗,從而提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動汽車**:在電動汽車的驅(qū)動電路中,K3134-VB 可以用作電機(jī)控制開關(guān),具備高電流處理能力,確保驅(qū)動系統(tǒng)的可靠性和響應(yīng)速度。

3. **LED 驅(qū)動**:該 MOSFET 可在 LED 照明應(yīng)用中用于調(diào)光和開關(guān)控制,利用其低導(dǎo)通電阻特性,優(yōu)化能量使用并延長 LED 組件的使用壽命。

4. **便攜式設(shè)備**:K3134-VB 適合用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊,如智能手機(jī)、平板電腦和充電器,能夠提供高效的充電和能量管理解決方案。

綜上所述,K3134-VB 是一款設(shè)計(jì)出色的 MOSFET,廣泛適用于電源管理、電動汽車、LED 驅(qū)動和消費(fèi)電子等領(lǐng)域,展現(xiàn)了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要價(jià)值。

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