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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3147-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3147-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K3147-VB MOSFET

K3147-VB是一款高效能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為多種中等電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為100V,能夠滿足對(duì)高電壓的需求。該器件的閾值電壓(Vth)為1.8V,在較低的柵電壓下便可有效導(dǎo)通。K3147-VB具有出色的導(dǎo)通特性,其在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為114mΩ,確保了高效的電流傳輸。采用Trench技術(shù),K3147-VB不僅提高了開(kāi)關(guān)速度,降低了開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)也在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是電子設(shè)備中不可或缺的元件。

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝**: TO252  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**: 100V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V  
- **開(kāi)啟閾值電壓(Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 114mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流(ID)**: 15A  
- **技術(shù)**: Trench  

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
  K3147-VB廣泛用于開(kāi)關(guān)電源中,能夠在高電壓和高電流條件下高效工作,降低開(kāi)關(guān)損耗,提高電源效率,是電源管理系統(tǒng)的重要組成部分。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,該MOSFET可用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī),實(shí)現(xiàn)精確的電流控制,適合于電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:
  K3147-VB適合在電池管理系統(tǒng)中使用,能夠高效控制電池的充放電過(guò)程,保障電池的安全性和壽命,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)車和儲(chǔ)能系統(tǒng)。

4. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  在LED照明應(yīng)用中,該MOSFET可作為高效的開(kāi)關(guān)元件,確保LED燈具的穩(wěn)定亮度和長(zhǎng)壽命,適合于各種商業(yè)和住宅照明方案。

5. **便攜式電子設(shè)備**:
  K3147-VB也適用于便攜式電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦等,能夠高效管理電池充電過(guò)程,提升設(shè)備的續(xù)航能力和用戶體驗(yàn)。

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