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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K375L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K375L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K375L-VB 產(chǎn)品簡介

K375L-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá)到 650V,使其非常適合需要高電壓控制的電路。由于其 Plannar 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),K375L-VB 提供可靠的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),并在各類電氣設(shè)備中表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性和工作效率,適合于高壓應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K375L-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單個(gè) N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 3440mΩ (VGS = 4.5V)
 - 4300mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K375L-VB MOSFET 適用于多種高壓應(yīng)用,以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器(如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器),能夠高效地將高電壓轉(zhuǎn)換為所需的低電壓輸出,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源和實(shí)驗(yàn)室電源設(shè)備中。

2. **電動(dòng)汽車充電站**:在電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中,K375L-VB 可作為充電模塊中的開關(guān)元件,處理充電時(shí)產(chǎn)生的高壓,保證充電過程的安全與高效。

3. **醫(yī)療設(shè)備**:醫(yī)療設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)可以利用 K375L-VB 來實(shí)現(xiàn)高電壓的控制,特別是在影像設(shè)備和監(jiān)測儀器中,它能夠確保設(shè)備在高壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **LED 照明驅(qū)動(dòng)電源**:在高壓 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)電源,控制燈具的工作電流,確保亮度穩(wěn)定和能效提升。

這些應(yīng)用展示了 K375L-VB 在高壓領(lǐng)域中的多功能性和可靠性,能夠滿足現(xiàn)代電氣設(shè)備對(duì)高壓和高效能的需求。

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