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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K375S-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K375S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K375S-VB 產(chǎn)品簡介

K375S-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 達到 650V,適用于要求高耐壓和穩(wěn)定性的電源管理和控制電路。該器件的柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,確保在多種應(yīng)用環(huán)境下的安全操作。它的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 3440mΩ,在 VGS 為 10V 時為 4300mΩ,最大漏電流 (ID) 為 2A。采用平面技術(shù) (Plannar),K375S-VB 提供穩(wěn)定的性能和高效率,是高壓系統(tǒng)中的理想選擇。

### K375S-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:K375S-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:3440mΩ(在 VGS = 4.5V 時)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4300mΩ(在 VGS = 10V 時)
- **最大漏電流 (ID)**:2A
- **技術(shù)**:平面技術(shù) (Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K375S-VB 的高電壓耐受能力使其非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和其他電源轉(zhuǎn)換器,能夠有效地將輸入電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓,滿足高效率和穩(wěn)定性的要求。

2. **逆變器**:在光伏系統(tǒng)和電動汽車中,該器件可用于逆變器,負責(zé)將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),在高壓應(yīng)用中確保高效能和穩(wěn)定性。

3. **照明控制**:在高壓 LED 照明驅(qū)動器中,K375S-VB 可以用于將高壓 AC 電源轉(zhuǎn)換為適合 LED 的 DC 電流,確保照明系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:該 MOSFET 適用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)中的高壓開關(guān)和驅(qū)動電路,確保設(shè)備在高壓環(huán)境下的可靠運行。

5. **家電產(chǎn)品**:K375S-VB 也可以在家用電器中找到應(yīng)用,特別是在需要高電壓輸入和安全防護的設(shè)備,如空調(diào)和冰箱等。

通過在這些領(lǐng)域的應(yīng)用,K375S-VB 提供了高可靠性、高效能和安全性的解決方案,適合用于各種高壓電源管理和控制系統(tǒng)。

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