--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K3919-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K3919-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓(VDS)最高可達(dá)30V,適合在低壓環(huán)境中工作。其導(dǎo)通電阻在不同柵極電壓下表現(xiàn)優(yōu)異:RDS(ON) 為3mΩ(@ VGS=4.5V)和2mΩ(@ VGS=10V),能夠支持最大漏極電流(ID)為100A。這使得K3919-VB在高效率和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)突出,適用于多種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
### K3919-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
- **封裝形式**:TO252,提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明
K3919-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,尤其在以下模塊中具有顯著表現(xiàn):
1. **電源管理系統(tǒng)**:在高效能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源分配電路中,K3919-VB 可用作開關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻特性使得它能夠減少能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,適合應(yīng)用于服務(wù)器電源和高效能計(jì)算機(jī)電源。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 適用于電動(dòng)機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,能夠處理高達(dá)100A的電流,特別適合于變頻驅(qū)動(dòng)和伺服系統(tǒng),在提高電動(dòng)機(jī)效率和響應(yīng)速度方面表現(xiàn)出色。
3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:在LED照明應(yīng)用中,K3919-VB 可以用作驅(qū)動(dòng)電流的開關(guān),支持高電流需求,并且由于其低導(dǎo)通電阻,有助于降低系統(tǒng)發(fā)熱,提高燈具的效率和使用壽命。
4. **電動(dòng)車輛**:在電動(dòng)汽車的動(dòng)力管理系統(tǒng)中,K3919-VB MOSFET 可用于電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng),提供高效的能量轉(zhuǎn)換和控制,確保車輛的可靠運(yùn)行和續(xù)航能力。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)設(shè)備的開關(guān)和控制系統(tǒng)中,K3919-VB 可用于控制高功率負(fù)載,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和可靠性,適合于自動(dòng)化生產(chǎn)線、機(jī)械手臂和其他工業(yè)應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛