--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K3979-TL-VB 產(chǎn)品簡介
K3979-TL-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,具備出色的電氣性能,適用于高壓和高電流應(yīng)用。該器件具有 200V 的漏源電壓 (VDS),柵極電壓耐受值為 ±20V,門限電壓 (Vth) 為 3V,漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在柵極電壓為 10V 時僅為 245mΩ。該 MOSFET 采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),實現(xiàn)了較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,最大持續(xù)漏極電流 (ID) 為 10A。這使得 K3979-TL-VB 成為高效電源管理、開關(guān)模式電源以及電動工具等領(lǐng)域的理想選擇。
### 二、K3979-TL-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:K3979-TL-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))
- **耗散功率**:待具體應(yīng)用情況下評估
- **開關(guān)速度**:取決于柵極驅(qū)動電路和工作頻率
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結(jié)溫)
### 三、K3979-TL-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **開關(guān)模式電源 (SMPS)**
K3979-TL-VB 非常適合用于開關(guān)模式電源 (SMPS),其中高效率和快速開關(guān)性能是關(guān)鍵。該器件的 200V 漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保在高壓應(yīng)用中提供可靠的性能,適用于 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等模塊。
2. **電動工具與電機驅(qū)動**
由于其高電流處理能力 (10A) 和 Trench 技術(shù)的優(yōu)越效率,K3979-TL-VB 在電動工具、電動馬達(dá)和其他需要穩(wěn)定功率傳輸?shù)碾姍C驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
3. **工業(yè)電源控制**
在工業(yè)電源模塊中,K3979-TL-VB 的 200V 耐壓性能使其適合工業(yè)電力設(shè)備的控制應(yīng)用,特別是需要高功率切換和耐高壓的場合,如工業(yè)變頻器和無刷電機驅(qū)動系統(tǒng)。
4. **負(fù)載開關(guān)與電池管理**
K3979-TL-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻還使其在電池管理系統(tǒng) (BMS) 和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中非常適用,確保高效的電源切換和能源管理。
綜上所述,K3979-TL-VB 是一款高效且可靠的 MOSFET,適用于多種高壓和高電流的電力電子應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12