--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K3984-ZK-E2-AZ-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K3984-ZK-E2-AZ-VB 是一款高性能的 N-溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于高壓和高效能的應(yīng)用。該器件的漏源電壓(VDS)可達(dá) 100V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,確保在各種控制電壓下的穩(wěn)定工作。閾值電壓(Vth)為 1.8V,使其適用于低電壓驅(qū)動(dòng)。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能,最大漏極電流(ID)為 15A,適合多種高功率應(yīng)用。K3984-ZK-E2-AZ-VB 采用 Trench 技術(shù),以優(yōu)化導(dǎo)通電阻和開關(guān)特性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的高效能要求。
### 二、K3984-ZK-E2-AZ-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **通道配置**: 單通道 N-溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開關(guān)電源**: K3984-ZK-E2-AZ-VB 適用于開關(guān)模式電源 (SMPS),能夠有效地處理高電壓和高電流,提供高效的電源轉(zhuǎn)換,尤其在電源適配器和電源管理模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為高功率開關(guān),適合于無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和快速的開關(guān)響應(yīng)。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**: 該器件也可用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,在高壓和高電流環(huán)境中穩(wěn)定工作,提供有效的電流控制和調(diào)光功能,適用于大功率照明解決方案。
4. **電力轉(zhuǎn)換和分配**: K3984-ZK-E2-AZ-VB 可用于高電壓電力轉(zhuǎn)換和分配系統(tǒng),作為開關(guān)元件處理高壓負(fù)載,提高系統(tǒng)效率,廣泛應(yīng)用于電力變換器和逆變器中。
5. **消費(fèi)電子設(shè)備**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,該 MOSFET 可用作電源管理和電池驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,提供高效的能量管理和穩(wěn)定的性能,適合于智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備。
K3984-ZK-E2-AZ-VB 的高電壓和高電流處理能力,使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用前景,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供了可靠的開關(guān)解決方案。
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