91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K3993-ZK-E1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3993-ZK-E1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K3993-ZK-E1-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252,設(shè)計用于低電壓和高電流應(yīng)用。這款 MOSFET 具備超低的導通電阻(RDS(ON)),在多種柵極電壓下表現(xiàn)出卓越的開關(guān)性能,適合用于高效的電源管理和驅(qū)動電路。K3993-ZK-E1-VB 能在 20V 的漏極源電壓(VDS)和 120A 的最大漏極電流(ID)下穩(wěn)定工作,確保設(shè)備在嚴苛環(huán)境下的可靠性和效率。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K3993-ZK-E1-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.5mΩ @ VGS = 2.5V
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

K3993-ZK-E1-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,例如:

1. **電源管理**: 由于其超低導通電阻和高電流承載能力,該 MOSFET 是高效電源管理電路的理想選擇,尤其在低電壓、高功率應(yīng)用中,能夠有效降低能量損耗。

2. **電動工具和電動機驅(qū)動**: K3993-ZK-E1-VB 的快速開關(guān)特性使其適合于電動工具和電動機驅(qū)動電路,為設(shè)備提供強勁的啟動和持續(xù)運行能力。

3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可作為開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,特別是在需要快速開關(guān)和高頻操作的場合。

4. **充電器和電池管理系統(tǒng)**: K3993-ZK-E1-VB 適合用于智能充電器和電池管理系統(tǒng)中,以確保電池的高效充電和放電,提升電池的使用壽命和安全性。

5. **消費電子產(chǎn)品**: 該 MOSFET 的小型化封裝和優(yōu)良的熱管理特性,使其適合用于各類消費電子產(chǎn)品中的電源模塊,為用戶提供穩(wěn)定、可靠的電源解決方案。

通過在這些應(yīng)用領(lǐng)域中的表現(xiàn),K3993-ZK-E1-VB MOSFET 顯示出其卓越的性能,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    499瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    421瀏覽量