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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3993-ZK-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3993-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 2.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3993-ZK-E2-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K3993-ZK-E2-AY-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝設(shè)計(jì),專為低電壓和高電流應(yīng)用而優(yōu)化。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 20V,門(mén)源電壓(VGS)范圍為 ±20V,閾值電壓(Vth)介于 0.5V 至 1.5V 之間,使其能夠在低電壓驅(qū)動(dòng)條件下可靠工作。K3993 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 2.5V 和 4.5V 的門(mén)源電壓下分別為 3.5mΩ 和 2.5mΩ,表明其在高電流條件下具有極低的功耗,適合高效的電源管理和控制系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封裝**              | TO252                   |
| **配置**              | 單 N 溝道 MOSFET        |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 20V                     |
| **門(mén)源電壓 (VGS)**    | ±20V                    |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 0.5V ~ 1.5V            |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 3.5mΩ @ VGS=2.5V       |
|                       | 2.5mΩ @ VGS=4.5V       |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 120A                    |
| **技術(shù)**              | 溝槽技術(shù)(Trench)       |

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

K3993-ZK-E2-AY-VB MOSFET 適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **電源管理**:該 MOSFET 在開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中非常有效,能夠處理高達(dá) 120A 的電流,適合用于高效能電源系統(tǒng),降低能量損耗。

2. **電機(jī)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,K3993 可用作高側(cè)或低側(cè)開(kāi)關(guān),支持大電流的控制,特別適合用于電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 照明系統(tǒng)中,此 MOSFET 可作為開(kāi)關(guān)元件,用于調(diào)節(jié)電流,實(shí)現(xiàn)高效的照明解決方案,確保長(zhǎng)壽命和低能耗。

4. **汽車電子**:適用于汽車的電源控制單元和驅(qū)動(dòng)模塊,如電動(dòng)窗、座椅調(diào)節(jié)器等,以滿足汽車對(duì)小型化和高效能的要求。

5. **便攜式設(shè)備**:在便攜式電子設(shè)備的電源管理中,K3993 的小封裝和高電流能力使其成為理想選擇,有助于提高電池的使用效率。

K3993-ZK-E2-AY-VB MOSFET 憑借其出色的電氣性能和多樣的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在低電壓高電流設(shè)計(jì)中的首選器件。

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