--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K4067-TL-E-VB 產(chǎn)品簡介
K4067-TL-E-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高效低壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,適用于多種低壓開關(guān)電路和電源管理系統(tǒng)。K4067-TL-E-VB 的柵極源極電壓 (VGS) 最大為 ±20V,使其能夠在不同驅(qū)動電壓條件下靈活運行。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,確??焖匍_啟和關(guān)閉。導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 9mΩ,VGS=10V 時降至 7mΩ,支持高達 70A 的電流。得益于 Trench 技術(shù)的應(yīng)用,K4067-TL-E-VB 在高電流傳輸時提供低功耗、高效能,適合需要高電流和低功耗的現(xiàn)代電子設(shè)備。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|------------------|----------------------|
| 型號 | K4067-TL-E-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單 N 通道 |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 30V |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏電流 (ID) | 70A |
| 技術(shù) | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
K4067-TL-E-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,主要包括:
1. **電源管理模塊**:K4067-TL-E-VB 在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓電源中有廣泛應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠減少功率損耗,提升整體系統(tǒng)效率,適用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)等場景。
2. **電動機驅(qū)動**:在電動機驅(qū)動模塊中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低功耗設(shè)計,使其成為電動機控制、調(diào)速和驅(qū)動應(yīng)用中的理想選擇,確保電動機運行穩(wěn)定高效。
3. **LED 照明驅(qū)動**:在 LED 驅(qū)動電路中,K4067-TL-E-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,有效控制功耗,確保 LED 的亮度一致性和電能的高效利用。
4. **充電系統(tǒng)**:其高電流承載能力,使得 K4067-TL-E-VB 適合用于快速充電器、移動電源等電池充電應(yīng)用,能夠加快充電速度并減少充電過程中熱量的產(chǎn)生。
5. **消費電子產(chǎn)品**:廣泛用于智能手機、平板電腦等消費電子設(shè)備的電源管理和開關(guān)控制模塊,K4067-TL-E-VB 能夠確保設(shè)備在高功耗應(yīng)用下運行可靠,延長設(shè)備的使用壽命。
總的來說,K4067-TL-E-VB 以其高效的電流傳輸和低導(dǎo)通電阻,適用于多種高電流、低電壓的應(yīng)用場景,成為眾多現(xiàn)代電子設(shè)備中必不可少的核心元件。
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