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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4069-ZK-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4069-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4069-ZK-E2-AY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K4069-ZK-E2-AY-VB 是一款高效的N溝道MOSFET,采用緊湊型TO252封裝,專為高電流處理和低導(dǎo)通損耗應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,柵極-源極電壓(VGS)最大為±20V,適合各種高效電源管理應(yīng)用。該器件基于Trench技術(shù)制造,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時為9mΩ,在VGS為10V時為7mΩ,能夠承載高達(dá)70A的漏極電流。這款MOSFET具備出色的開關(guān)性能和低功耗特性,適合于各種高頻電源和電機(jī)控制領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單一N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 65W (典型值)
- **最大瞬態(tài)柵極電荷(Qg)**: 25nC
- **輸入電容(Ciss)**: 1200pF

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理模塊(DC-DC轉(zhuǎn)換器)**  
K4069-ZK-E2-AY-VB 在**DC-DC轉(zhuǎn)換器**中表現(xiàn)出色,特別適合用于筆記本電腦、服務(wù)器和通信設(shè)備中的電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保高效的電能轉(zhuǎn)換,降低系統(tǒng)損耗,提高整體效率。

2. **電動工具與電機(jī)驅(qū)動**  
該MOSFET可廣泛用于**電動工具和電機(jī)驅(qū)動控制**,如無刷電機(jī)驅(qū)動器。由于其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗,能夠有效提高電機(jī)控制系統(tǒng)的效率,降低功耗,適用于電動工具、無人機(jī)和電動滑板等領(lǐng)域。

3. **汽車電子**  
K4069-ZK-E2-AY-VB 適合于**汽車電子系統(tǒng)**,如車載充電器、車載電源管理系統(tǒng)等。其高電流承載能力和耐壓性能使其在汽車環(huán)境中提供可靠的電源控制和保護(hù)功能。

4. **高頻開關(guān)電源**  
該器件也適用于**高頻開關(guān)電源**,如工業(yè)電源或服務(wù)器電源。其快速開關(guān)特性和低能耗表現(xiàn),使其在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率和可靠性。

綜上所述,K4069-ZK-E2-AY-VB 憑借其卓越的電氣特性,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子及高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域,能夠有效提升系統(tǒng)的能效和可靠性。

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