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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4075B-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4075B-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K4075B-ZK-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252,專為高電流和低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 可承受高達(dá) 40V 的漏極源電壓(VDS),并具備高達(dá) 85A 的最大漏極電流(ID),適用于需要快速開關(guān)和高功率管理的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時(shí)為 5mΩ,在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 6mΩ,表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)電性能。K4075B-ZK-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),優(yōu)化了電流傳輸效率和熱性能,確保在各種復(fù)雜電路中的可靠性和效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K4075B-ZK-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

K4075B-ZK-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,尤其在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的場景中表現(xiàn)出色,主要適用于以下領(lǐng)域:

1. **電源管理系統(tǒng)**: 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流能力,該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器),可以有效提高能量轉(zhuǎn)換效率,并降低熱損耗,確保電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: K4075B-ZK-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動電路,為電動機(jī)提供穩(wěn)定的電流,支持高效的啟動和運(yùn)行,特別適合用于電動工具和電動車輛的電機(jī)控制。

3. **LED 驅(qū)動電源**: 在 LED 驅(qū)動電源設(shè)計(jì)中,該 MOSFET 的快速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻有助于實(shí)現(xiàn)高效的燈光調(diào)節(jié)和驅(qū)動,確保 LED 燈具的高亮度和長壽命。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 由于其小型封裝和優(yōu)良的熱管理特性,K4075B-ZK-VB 適合用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品(如手機(jī)、平板電腦等)中的電源模塊,為用戶提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)。

5. **電池管理系統(tǒng)**: 該 MOSFET 能在電池管理系統(tǒng)中用于充電和放電控制,以確保電池的安全性和高效性,特別適合用于智能手機(jī)和電動車輛等需要高效能的應(yīng)用。

K4075B-ZK-VB MOSFET 通過在這些應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn),為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了高效、可靠的電源解決方案,滿足了對高性能和小型化的需求。

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