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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4075-ZK-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4075-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4075-ZK-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡介

K4075-ZK-E1-AY-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏極至源極電壓(VDS)為 40V,門源電壓(VGS)范圍為 ±20V,具有 2.5V 的閾值電壓(Vth)。在 4.5V 的門源電壓下,K4075 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 6mΩ,而在 10V 的門源電壓下僅為 5mΩ,展現(xiàn)出極低的功耗特性和出色的導(dǎo)通性能,支持高達 85A 的電流。該 MOSFET 的溝槽技術(shù)(Trench)使其在高效能開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合用于各種電源管理和控制系統(tǒng)。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封裝**              | TO252                   |
| **配置**              | 單 N 溝道 MOSFET        |
| **最大漏極電壓 (VDS)** | 40V                     |
| **門源電壓 (VGS)**    | ±20V                    |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 2.5V                    |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS=4.5V         |
|                       | 5mΩ @ VGS=10V           |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 85A                     |
| **技術(shù)**              | 溝槽技術(shù)(Trench)       |

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

K4075-ZK-E1-AY-VB MOSFET 適用于多個領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **電源管理**:該 MOSFET 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中非常有效,能夠處理高達 85A 的電流,適合用于高效能電源系統(tǒng),如服務(wù)器和工業(yè)電源設(shè)備,降低能量損耗。

2. **電機驅(qū)動**:在電機控制應(yīng)用中,K4075 可用作高側(cè)或低側(cè)開關(guān),支持大電流的控制,適合于電動工具、電動自行車和家電產(chǎn)品等。

3. **LED 驅(qū)動**:在 LED 照明系統(tǒng)中,此 MOSFET 可作為開關(guān)元件,用于調(diào)節(jié)電流,確保照明設(shè)備的高效能和長壽命。

4. **汽車電子**:適用于汽車的電源控制單元和驅(qū)動模塊,如電動窗、座椅調(diào)節(jié)器和燈光控制,能夠滿足汽車對小型化和高效能的要求。

5. **便攜式設(shè)備**:在便攜式電子設(shè)備的電源管理中,K4075 的小封裝和高電流能力使其成為理想選擇,有助于提高電池的使用效率。

K4075-ZK-E1-AY-VB MOSFET 憑借其出色的電氣性能和多樣的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在低電壓高電流設(shè)計中的首選器件。

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