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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4078B-ZK-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4078B-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K4078B-ZK-VB 產(chǎn)品簡介

K4078B-ZK-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 40V,能夠支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),確保在多種工作條件下的穩(wěn)定性。該器件的柵極門限電壓 (Vth) 為 2.5V,提供了快速的開關(guān)響應(yīng)能力。在導(dǎo)通狀態(tài)下,K4078B-ZK-VB 的漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 6mΩ(@ VGS=4.5V)和 5mΩ(@ VGS=10V),使其在功率損耗方面表現(xiàn)優(yōu)異,適合高效電源應(yīng)用。該器件的最大漏極電流 (ID) 為 85A,非常適合需要大電流處理的場合,采用了溝槽 (Trench) 技術(shù),進(jìn)一步提升了其開關(guān)速度和導(dǎo)通性能。

### 二、K4078B-ZK-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K4078B-ZK-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極門限電壓 (Vth)**:2.5V
- **漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:85A
- **技術(shù)類型**:溝槽技術(shù)(Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C(結(jié)溫)
- **功率耗散**:待具體應(yīng)用情況下評估

### 三、K4078B-ZK-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  K4078B-ZK-VB 非常適合用于電源管理應(yīng)用,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。其低 RDS(ON) 值和高電流能力能夠有效提高功率轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,特別適用于對能效要求較高的設(shè)備。

2. **負(fù)載開關(guān)**  
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,K4078B-ZK-VB 能夠快速響應(yīng)控制信號,確保在不同負(fù)載條件下的高效切換。其高達(dá) 85A 的漏極電流能力使其能夠處理各種工業(yè)和消費電子設(shè)備中的高功率負(fù)載,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

3. **電機(jī)驅(qū)動**  
  該 MOSFET 適用于各種電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,如小型電機(jī)控制和自動化系統(tǒng)。其快速開關(guān)特性使得電機(jī)啟動和停止迅速高效,有助于提升電機(jī)運(yùn)行的整體性能,廣泛應(yīng)用于家電和工業(yè)設(shè)備中。

4. **汽車電子**  
  K4078B-ZK-VB 也可應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)中,如電源分配和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng),確保高電流處理的同時保證穩(wěn)定性和安全性。這類應(yīng)用要求器件在高溫和嚴(yán)苛環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作,而該 MOSFET 能夠滿足這些要求。

綜上所述,K4078B-ZK-VB 是一款高性能的 MOSFET,適用于多種低電壓、高電流應(yīng)用領(lǐng)域,包括電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動和汽車電子等。其卓越的電氣性能使其在各類應(yīng)用中成為理想選擇。

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