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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K429-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K429-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K429-VB 是一款采用 TO-252 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,專為中高壓應(yīng)用設(shè)計,具有良好的導(dǎo)電性能和高效能。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 100V,柵源極電壓 (VGS) 范圍為 ±20V。開啟電壓 (Vth) 為 1.8V,導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 在 VGS 為 10V 時為 114mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 15A。采用 Trench 技術(shù),K429-VB 確保了低功耗和高開關(guān)速度,使其在各種電源和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO-252(緊湊型封裝,適合高功率密度應(yīng)用)
- **配置**: 單一 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽)技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效能
- **熱性能**: TO-252 封裝具有良好的散熱特性,適合高電流工作環(huán)境

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:K429-VB 在高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,適合用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器及電源適配器等,能夠在保持較低熱量的同時提供高電流輸出,提高系統(tǒng)能效。

2. **電動機(jī)控制**:該 MOSFET 非常適合電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,如家電、自動化設(shè)備和電動工具,能夠在高電壓下穩(wěn)定工作,確保電機(jī)高效且可靠地運行。

3. **LED驅(qū)動電路**:在 LED 照明系統(tǒng)中,K429 能夠精確控制電流,適用于各種 LED 驅(qū)動電路,確保高亮度和長壽命,滿足現(xiàn)代照明的需求。

4. **消費電子產(chǎn)品**:在各種消費電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦和游戲控制臺,K429-VB 可以用于電源管理組件,幫助延長電池壽命和提升系統(tǒng)整體性能。

5. **充電器和充電站**:該器件還適用于電動車充電器和高效充電站,能夠處理較高的電壓和電流,確保安全和高效的充電過程。

綜上所述,K429-VB 憑借其卓越的電氣性能和靈活的應(yīng)用范圍,成為了多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇,適用于從工業(yè)設(shè)備到消費電子的多個領(lǐng)域。

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