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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K739-Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K739-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K739-Z-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有 60V 的最大漏源電壓和 18A 的最大漏極電流。其采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具備出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,使其在各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率和低功耗表現(xiàn)。K739-Z-VB 的設(shè)計(jì)使其適合于快速開關(guān)和高頻應(yīng)用,能夠在較低的柵電壓下提供強(qiáng)大的導(dǎo)電性能,滿足現(xiàn)代電源管理和控制系統(tǒng)的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ(@ VGS=4.5V)
 - 73mΩ(@ VGS=10V)
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:K739-Z-VB 非常適合用于各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,尤其是在低至中等功率的應(yīng)用中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的電力轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻使其在轉(zhuǎn)換過程中能顯著降低能量損耗。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,K739-Z-VB 可以作為開關(guān)元件,用于控制電池充放電過程,確保系統(tǒng)的安全性與效率。其快速開關(guān)能力有助于提高系統(tǒng)的整體性能。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:該 MOSFET 可以在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)高效的電流控制,確保 LED 燈具在不同工作條件下始終保持高亮度和穩(wěn)定性。

4. **電動(dòng)工具和小型電機(jī)控制**:K739-Z-VB 適用于電動(dòng)工具和小型電機(jī)的控制,憑借其高電流承載能力和快速響應(yīng)特性,能夠提供良好的控制效果和運(yùn)行穩(wěn)定性。

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