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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K7P50D-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7P50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K7P50D-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其具備高達(dá) 650V 的漏源電壓(VDS)和 ±30V 的柵源電壓(VGS),采用了超級結(jié)(SJ_Multi-EPI)技術(shù)。這種技術(shù)有效降低了導(dǎo)通電阻,使得在 VGS=10V 時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1000mΩ,且額定電流(ID)為 5A,適合在高電壓和高電流環(huán)境中穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的門檻電壓(Vth)為 3.5V,確保在廣泛的應(yīng)用中具備良好的開關(guān)特性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **極性**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI 超級結(jié)技術(shù)
- **柵極電荷 (Qg)**: 適合快速切換的較低柵極電荷
- **熱阻 (RthJC)**: TO252 封裝下良好的熱管理性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
K7P50D-VB 由于其高電壓特性和較低的導(dǎo)通電阻,適用于多個行業(yè)和應(yīng)用,尤其是在高壓電源管理領(lǐng)域。典型應(yīng)用包括:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:K7P50D-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源,如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻能顯著提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源和電信設(shè)備。

2. **LED 驅(qū)動電源**:在 LED 照明和驅(qū)動應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于調(diào)節(jié)和控制 LED 模塊的電流,以確保高效和穩(wěn)定的照明效果。適合在商業(yè)和家庭照明領(lǐng)域中使用。

3. **電機(jī)控制**:K7P50D-VB 可作為高壓電機(jī)驅(qū)動電路的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電動工具、家電和工業(yè)自動化設(shè)備中,能夠高效控制電機(jī)的啟動、停止和調(diào)速。

4. **電力電子設(shè)備**:在電力電子模塊和高壓變換器中,K7P50D-VB 可用于電能的調(diào)節(jié)和控制,包括逆變器和整流器等,確保電能轉(zhuǎn)換過程中的高效和穩(wěn)定。

K7P50D-VB 是一款理想的高壓 MOSFET,能夠在各種高電壓和高電流應(yīng)用中提供出色的性能和可靠性,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功率轉(zhuǎn)換和管理的嚴(yán)格要求。

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