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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K7P60W5-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7P60W5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K7P60W5-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有 650V 的最大漏源電壓和 9A 的最大漏極電流。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù),旨在在高壓環(huán)境下提供卓越的性能。其 500mΩ 的低導(dǎo)通電阻(@ VGS=10V)使其非常適合用于高效率的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。K7P60W5-VB 的設(shè)計確保了優(yōu)越的熱性能和電氣穩(wěn)定性,使其在復(fù)雜的電力電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ(@ VGS=10V)
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開關(guān)電源 (SMPS)**:K7P60W5-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源中,特別是在需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場合。其高達 650V 的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻能夠有效降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體能效。

2. **電動汽車 (EV) 電源管理**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,K7P60W5-VB 可以用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器,確保電能高效傳輸并降低系統(tǒng)熱損失,從而提高電動汽車的續(xù)航能力。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用于電機驅(qū)動和自動化控制系統(tǒng)。憑借其穩(wěn)定性和高電流承載能力,K7P60W5-VB 能夠在惡劣環(huán)境下持續(xù)提供可靠的性能。

4. **LED 照明驅(qū)動**:K7P60W5-VB 也適合用于 LED 照明控制器,提供高效的電流管理和調(diào)光能力,確保 LED 燈具在高壓條件下工作穩(wěn)定、亮度一致。

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