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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K7P60W-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7P60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K7P60W-VB 產(chǎn)品簡介

K7P60W-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,設(shè)計用于高電壓和高電流的應(yīng)用。該器件的漏源擊穿電壓(VDS)為 650V,柵極驅(qū)動電壓(VGS)可達(dá)到 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 500mΩ,額定漏極電流(ID)為 9A。K7P60W-VB 采用先進(jìn)的超結(jié)多重外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),能夠在高壓條件下提供優(yōu)異的開關(guān)性能和能效,適合多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。

### 二、K7P60W-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 9A  
- **技術(shù)類型**: 超結(jié)多重外延(SJ_Multi-EPI)  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 在優(yōu)化的設(shè)計下具備低損耗特性  
- **開關(guān)速度**: 優(yōu)秀的開關(guān)性能,適合高頻率應(yīng)用

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. 高壓電源轉(zhuǎn)換器**:  
K7P60W-VB 可廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,特別是在需要處理 650V 高壓輸入的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高效率特點(diǎn),有助于提升整體轉(zhuǎn)換效率,降低能耗,適合電源管理系統(tǒng)。

**2. 電動汽車充電系統(tǒng)**:  
在電動汽車充電系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 650V 的電壓,確保充電過程中穩(wěn)定和安全的電流傳輸。它的高效開關(guān)特性可以提高充電效率,降低發(fā)熱。

**3. 光伏逆變器**:  
K7P60W-VB 非常適合用于光伏逆變器中,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高擊穿電壓和優(yōu)秀的開關(guān)性能,使其能夠在高能量和高頻率條件下穩(wěn)定工作。

**4. 工業(yè)控制系統(tǒng)**:  
在各種工業(yè)控制系統(tǒng)中,例如自動化設(shè)備和機(jī)器人,K7P60W-VB 可用于驅(qū)動電機(jī)和控制負(fù)載,保證系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性。

**5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品**:  
該 MOSFET 也適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高效電源適配器和充電器,提供可靠的電流管理,并確保設(shè)備在高壓和高負(fù)載下的正常運(yùn)行。

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