--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 — K7S10N1Z-VB MOSFET
K7S10N1Z-VB 是一款高性能單極性N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有100V的最大漏源電壓和±20V的柵源電壓耐受能力。此器件的閾值電壓為1.8V,使其能夠在較低的柵源電壓下有效導(dǎo)通,展現(xiàn)出卓越的開關(guān)性能。K7S10N1Z-VB 采用Trench技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為35mΩ@VGS=4.5V,30mΩ@VGS=10V),并能夠承受高達(dá)40A的漏極電流,適合多種高效能電路應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明 — K7S10N1Z-VB MOSFET
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)我籒溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:40A
- **技術(shù)類型**:Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converters)**
K7S10N1Z-VB 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻,非常適合在DC-DC轉(zhuǎn)換器中用作開關(guān)元件。其高效的開關(guān)特性可顯著提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、工業(yè)電源和服務(wù)器電源等領(lǐng)域。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)(Motor Drives)**
在電機(jī)控制系統(tǒng)中,K7S10N1Z-VB 可作為高效驅(qū)動(dòng)器的主要開關(guān)元件。其可承受的高電流和低導(dǎo)通損耗使其在直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制中表現(xiàn)優(yōu)異,適合于電動(dòng)工具和家用電器的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
3. **電源管理(Power Management)**
K7S10N1Z-VB 適用于各類電源管理電路,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的負(fù)載開關(guān)。無論是電池管理系統(tǒng)還是智能電源適配器,這款MOSFET 都能以低功耗高效率的方式管理電源分配,提升整體系統(tǒng)的性能。
4. **照明控制(Lighting Control)**
該MOSFET 也適用于LED照明控制模塊中。在LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K7S10N1Z-VB 能夠快速開關(guān),控制燈光的亮度和開關(guān),確保照明系統(tǒng)的高效能與可靠性,廣泛應(yīng)用于智能家居和商業(yè)照明領(lǐng)域。
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