91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K7S10N1Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K7S10N1Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 — K7S10N1Z-VB MOSFET

K7S10N1Z-VB 是一款高性能單極性N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有100V的最大漏源電壓和±20V的柵源電壓耐受能力。此器件的閾值電壓為1.8V,使其能夠在較低的柵源電壓下有效導(dǎo)通,展現(xiàn)出卓越的開關(guān)性能。K7S10N1Z-VB 采用Trench技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為35mΩ@VGS=4.5V,30mΩ@VGS=10V),并能夠承受高達(dá)40A的漏極電流,適合多種高效能電路應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 — K7S10N1Z-VB MOSFET

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)我籒溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 35mΩ @ VGS=4.5V
 - 30mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:40A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converters)**  
  K7S10N1Z-VB 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻,非常適合在DC-DC轉(zhuǎn)換器中用作開關(guān)元件。其高效的開關(guān)特性可顯著提高轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、工業(yè)電源和服務(wù)器電源等領(lǐng)域。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)(Motor Drives)**  
  在電機(jī)控制系統(tǒng)中,K7S10N1Z-VB 可作為高效驅(qū)動(dòng)器的主要開關(guān)元件。其可承受的高電流和低導(dǎo)通損耗使其在直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制中表現(xiàn)優(yōu)異,適合于電動(dòng)工具和家用電器的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

3. **電源管理(Power Management)**  
  K7S10N1Z-VB 適用于各類電源管理電路,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的負(fù)載開關(guān)。無論是電池管理系統(tǒng)還是智能電源適配器,這款MOSFET 都能以低功耗高效率的方式管理電源分配,提升整體系統(tǒng)的性能。

4. **照明控制(Lighting Control)**  
  該MOSFET 也適用于LED照明控制模塊中。在LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K7S10N1Z-VB 能夠快速開關(guān),控制燈光的亮度和開關(guān),確保照明系統(tǒng)的高效能與可靠性,廣泛應(yīng)用于智能家居和商業(yè)照明領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    496瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    419瀏覽量