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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K8P25DA-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K8P25DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K8P25DA-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K8P25DA-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源擊穿電壓(VDS)為 250V,支持最大 ±20V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓(VGS),開(kāi)啟電壓(Vth)為 3.5V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 176mΩ,額定漏極電流(ID)為 17A。K8P25DA-VB 采用 Trench 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的熱管理性能,非常適合用于高效的電源開(kāi)關(guān)和電流控制應(yīng)用。

### 二、K8P25DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO252  
- **溝道配置**: 單 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 250V  
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 17A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 具備低損耗特性和高效的散熱性能  
- **開(kāi)關(guān)速度**: 適用于中高頻率應(yīng)用的開(kāi)關(guān)性能

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器**:  
K8P25DA-VB 非常適合用于 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,在高達(dá) 250V 的電壓下,能夠提供穩(wěn)定的電流控制。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于各類電源管理系統(tǒng)中。

**2. 不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)**:  
在 UPS 系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制電池的充放電過(guò)程,確保在電力中斷時(shí)提供可靠的電源供應(yīng)。其高電壓耐受能力和快速響應(yīng)特性使其能夠高效管理電流,保證電池性能。

**3. 工業(yè)設(shè)備電源控制**:  
K8P25DA-VB 可以應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和控制系統(tǒng)中,用于開(kāi)關(guān)電源和負(fù)載控制。在高壓和高功率的應(yīng)用場(chǎng)景下,它能有效降低系統(tǒng)損耗,提高工作效率。

**4. 逆變器應(yīng)用**:  
該 MOSFET 適合用于光伏或其他能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的逆變器,幫助將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和高電流性能使其在大功率逆變器中具備出色的開(kāi)關(guān)和能量轉(zhuǎn)換效果。

**5. 電池管理系統(tǒng)**:  
K8P25DA-VB 在電池管理系統(tǒng)中可用于電壓和電流的調(diào)節(jié)和控制,尤其是在高電壓需求的電池組應(yīng)用中,通過(guò)其高效的電流開(kāi)關(guān)管理確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

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