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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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KF3N80D-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): KF3N80D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 800V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2600mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 – KF3N80D-VB

KF3N80D-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具備 800V 的漏極-源極電壓 (VDS) 及 ±30V 的柵極-源極電壓 (VGS),非常適合用于要求高電壓阻斷能力的應(yīng)用場(chǎng)景。此器件基于 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有 2600mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V 和 2A 的連續(xù)漏極電流 (ID),適用于高效能和耐用的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 – KF3N80D-VB

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:?jiǎn)?N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:800V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2600mΩ @ VGS=10V  
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:2A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI  
- **最大功率耗散**:根據(jù)具體應(yīng)用和散熱條件決定  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **封裝引腳配置**:標(biāo)準(zhǔn) TO252 封裝形式,便于 PCB 安裝

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  KF3N80D-VB 由于其高壓能力和低漏電流特性,適用于高壓開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它能夠在高電壓輸入環(huán)境下有效工作,并確保轉(zhuǎn)換效率。

2. **LED 照明驅(qū)動(dòng)器**
  在 LED 照明驅(qū)動(dòng)模塊中,該 MOSFET 可以用作高壓開(kāi)關(guān)元件。其 800V 的耐壓特性使其能承受較高的電壓尖峰,確保 LED 驅(qū)動(dòng)器在惡劣的電源條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **工業(yè)控制**
  KF3N80D-VB 適合在工業(yè)自動(dòng)化中的高壓控制模塊使用,例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器、逆變器等應(yīng)用。在這些模塊中,它提供了可靠的電流控制能力,并能夠長(zhǎng)時(shí)間工作在苛刻的環(huán)境中。

4. **功率調(diào)節(jié)器**
  它在功率調(diào)節(jié)模塊中也具有優(yōu)勢(shì),尤其是在要求高電壓阻斷及良好開(kāi)關(guān)特性的場(chǎng)景下,能夠幫助系統(tǒng)提高功率管理效率,減少能量損耗。

KF3N80D-VB 的高電壓和高效開(kāi)關(guān)特性使其成為需要可靠性與效率兼?zhèn)涞母邏侯I(lǐng)域應(yīng)用的理想選擇。

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