--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - KF6N60D-VB
KF6N60D-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高效開關(guān)和電力控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓(VDS)為650V,柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。KF6N60D-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)為1000mΩ,最大漏極電流(ID)為5A。該MOSFET采用SJ_Multi-EPI技術(shù),具有良好的開關(guān)特性和熱性能,非常適合用于要求高壓和高效率的電源應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **通道類型**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI
- **最大耗散功率**: 45W(典型值)
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 650V
- **電流上升時(shí)間 (tr)**: 50ns
- **開關(guān)時(shí)間**: 快速開關(guān)速度
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
KF6N60D-VB廣泛應(yīng)用于多種需要高壓和高效能控制的領(lǐng)域,具體包括以下幾個(gè)模塊:
1. **電源管理模塊**:該MOSFET在開關(guān)電源(SMPS)、直流-直流變換器和電源適配器中表現(xiàn)出色。由于其高VDS和低RDS(ON),KF6N60D-VB能夠提高功率轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
2. **照明控制模塊**:在LED驅(qū)動(dòng)電路及其他高功率照明應(yīng)用中,該器件能夠有效調(diào)節(jié)電流,確保LED及光源的穩(wěn)定運(yùn)行,提升光源的效率和壽命。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:KF6N60D-VB適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化設(shè)備控制,能夠快速響應(yīng)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精確啟動(dòng)、停止和調(diào)速,提高工業(yè)生產(chǎn)的自動(dòng)化水平。
4. **家用電器**:該MOSFET在冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)等家電中得到了廣泛應(yīng)用。其高耐壓特性能夠滿足高電壓開關(guān)和調(diào)節(jié)電路的需求,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
5. **逆變器與變頻器**:KF6N60D-VB非常適合用于太陽能逆變器和變頻器中,能夠承受高電壓和電流,提升電能轉(zhuǎn)換效率并保證設(shè)備長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
通過其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性,KF6N60D-VB是各類高壓開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇,能夠有效提升系統(tǒng)的能效和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛