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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KMB054N40DC-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KMB054N40DC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

KMB054N40DC-VB是一款高效的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓為40V,漏極電流達(dá)到85A,適合處理大電流負(fù)載。該器件的開啟閾值電壓為2.5V,能夠在較低電壓下快速開啟,同時(shí)具有出色的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為6mΩ @ VGS=4.5V,5mΩ @ VGS=10V),從而有效降低功耗和熱量生成。KMB054N40DC-VB采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),確保在高頻開關(guān)和電力管理應(yīng)用中表現(xiàn)卓越,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)控制和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號:** KMB054N40DC-VB
- **封裝:** TO252
- **極性配置:** 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS):** 40V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth):** 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** 85A
- **技術(shù):** 溝槽(Trench)技術(shù)

### 三、適用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng):**
  KMB054N40DC-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換過程中能夠有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,適合用于計(jì)算機(jī)電源、消費(fèi)電子產(chǎn)品及工業(yè)電源模塊。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  該MOSFET適用于電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng),如家電、電動(dòng)工具和電動(dòng)車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其出色的電流處理能力和快速開關(guān)性能可有效提高電動(dòng)機(jī)的運(yùn)行效率和響應(yīng)速度。

3. **汽車電子:**
  KMB054N40DC-VB在汽車電子應(yīng)用中表現(xiàn)良好,如電動(dòng)窗、電動(dòng)座椅和電池管理系統(tǒng)。其高電流能力和耐用性使其適合在汽車的嚴(yán)苛環(huán)境中可靠運(yùn)行,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定。

4. **負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路:**
  在負(fù)載開關(guān)和過流保護(hù)電路中,KMB054N40DC-VB可有效控制設(shè)備的開關(guān)狀態(tài),防止電流過載和短路。其快速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其成為電源管理和保護(hù)電路的理想選擇。

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