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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LNG03R031-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LNG03R031-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LNG03R031-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LNG03R031-VB 是一款采用 TO252 封裝的高性能單 N 溝道 MOSFET,專為需要高效、低功耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓為 30V,支持 100A 的大電流,并具有極低的導(dǎo)通電阻,確保其在高功率電路中的卓越性能。通過(guò) Trench 技術(shù),該器件實(shí)現(xiàn)了低損耗和高效能,適用于多種電源管理和負(fù)載控制領(lǐng)域。其緊湊型封裝和高可靠性設(shè)計(jì)使其在空間有限的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào):** LNG03R031-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS):** 30V
- **最大柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **門閾電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏電流 (ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:LNG03R031-VB 非常適合高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,尤其是在需要快速開(kāi)關(guān)和高電流處理能力的應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻確保了較少的功耗損失,從而提升系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)工具和驅(qū)動(dòng)電路**:此 MOSFET 的高電流承載能力使其能夠輕松應(yīng)用于電動(dòng)工具和電動(dòng)機(jī)控制電路中。其低導(dǎo)通損耗有助于減少電動(dòng)機(jī)在高負(fù)載下的熱量產(chǎn)生,從而提升系統(tǒng)的壽命和可靠性。

3. **消費(fèi)電子電源管理**:在消費(fèi)電子產(chǎn)品(如智能手機(jī)、筆記本電腦等)的電源管理模塊中,LNG03R031-VB 的緊湊封裝和高效能使其非常適合用于需要高電流輸出且空間有限的場(chǎng)景中。

4. **汽車電子和電池管理系統(tǒng)**:LNG03R031-VB 也可廣泛應(yīng)用于汽車電子,如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和低壓電源控制模塊。其低電阻和高電流能力幫助提升電池的充放電效率,同時(shí)減少熱量產(chǎn)生,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

綜上所述,LNG03R031-VB MOSFET 憑借其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和高效能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)工具、消費(fèi)電子和汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域,滿足了對(duì)高效電源管理和負(fù)載控制的需求。

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