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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LNG04R075-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LNG04R075-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LNG04R075-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**LNG04R075-VB** 是一款采用TO252封裝的高性能單N通道MOSFET,專為要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為40V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為2.5V,確保在中低電壓下快速開(kāi)關(guān)和穩(wěn)定運(yùn)行。該器件在VGS為4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為6mΩ,VGS為10V時(shí)為5mΩ,能夠在大電流負(fù)載下有效降低功率損耗。最高漏極電流(ID)為85A,LNG04R075-VB 采用Trench技術(shù),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)性能,非常適合在功率密集型應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰通道MOSFET  
- **漏源電壓(VDS)**:40V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V  
- **RDS(ON) @ VGS = 4.5V**:6mΩ  
- **RDS(ON) @ VGS = 10V**:5mΩ  
- **漏電流(ID)**:85A  
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)  

### 適用領(lǐng)域和模塊的示例
1. **消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理**:  
  LNG04R075-VB 非常適合用于**智能手機(jī)、筆記本電腦和游戲機(jī)**等消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力可以顯著提升設(shè)備的電源效率,減少能量損耗并延長(zhǎng)電池壽命。

2. **電池保護(hù)電路**:  
  在**鋰離子電池保護(hù)電路**中,該MOSFET可以用于**電動(dòng)工具、便攜式設(shè)備**等場(chǎng)景,確保電池在高電流放電時(shí)的安全運(yùn)行。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低損耗使其能夠提供高效的電流控制,延長(zhǎng)電池的使用壽命。

3. **汽車電子**:  
  LNG04R075-VB 適用于**汽車電子系統(tǒng)**中的**電動(dòng)座椅、電動(dòng)窗和車燈控制**等模塊。其高電流能力和耐壓特性,確保汽車電路的穩(wěn)定性和安全性,尤其適用于低壓大電流的控制場(chǎng)景。

4. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:  
  該MOSFET在**DC-DC轉(zhuǎn)換器**中表現(xiàn)出色,適合用于電源模塊中的高效能轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)能力使其能夠在轉(zhuǎn)換器中減少熱損耗,提升整體效率。

### 總結(jié)
**LNG04R075-VB** 以其40V的耐壓、85A的高電流承載能力、以及低至5mΩ的導(dǎo)通電阻,適合各種需要高效電源管理的應(yīng)用場(chǎng)景。無(wú)論是消費(fèi)電子、電池管理、汽車電子還是DC-DC轉(zhuǎn)換器,該器件都能夠提供高效、可靠的解決方案。

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