--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### LR120-VB 產(chǎn)品簡介
LR120-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最高漏源極耐壓為100V,適合在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。該MOSFET的閾值電壓為1.8V,具有較低的導(dǎo)通電阻(114mΩ @ VGS=10V),能夠有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),LR120-VB 在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出色,適合用于高性能電源模塊及其他電子設(shè)備。
### LR120-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類型**: 溝槽(Trench)技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
LR120-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中具有優(yōu)異的性能,尤其適用于中低壓應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,該MOSFET 能夠有效地減少功耗,從而提升整體轉(zhuǎn)換效率。常見的應(yīng)用包括移動設(shè)備的充電器和小型電源模塊。
2. **開關(guān)電源 (SMPS)**
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,LR120-VB 適合用于小型和中型負(fù)載的電源管理。其高耐壓和低功耗特性使其成為理想的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源和家用電器等領(lǐng)域,能夠幫助提高電源效率并降低熱損耗。
3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中也表現(xiàn)良好,可用于控制充電與放電路徑。LR120-VB 的低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力非常適合用于電動車和儲能系統(tǒng),確保能量傳遞的高效與安全。
4. **逆變器與整流器**
在逆變器和整流器中,LR120-VB 可作為功率開關(guān),提升轉(zhuǎn)換效率。其高耐壓性能使其適用于太陽能逆變器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,有助于在高負(fù)載條件下維持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),為可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電力設(shè)備提供有效支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛