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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR3140-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR3140-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR3140-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LR3140-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為中高電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。這款MOSFET的漏源極電壓(VDS)最高可達100V,適合廣泛的電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。LR3140-VB 的柵極驅(qū)動電壓范圍為±20V,確保其在多種操作環(huán)境中穩(wěn)定運行。其閾值電壓(Vth)為1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 114mΩ @ VGS = 10V)相對較低,使其在高效能量傳輸和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。采用溝槽技術(shù),LR3140-VB 不僅提供良好的開關(guān)特性,還能有效降低功耗,適合各種電力電子應(yīng)用。

### LR3140-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱         | 數(shù)值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封裝類型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 單N溝道                        |
| 漏源極電壓 (VDS) | 100V                           |
| 柵極電壓 (VGS)   | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth)   | 1.8V                           |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS = 10V             |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 15A                            |
| 技術(shù)              | 溝槽 (Trench) 技術(shù)             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  LR3140-VB 在電源管理系統(tǒng)中可用于高效的電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。其高電流承載能力和較低的導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異,有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電機驅(qū)動電路**  
  在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,LR3140-VB 可以用作高效的開關(guān)控制器,能夠處理電機啟動和運行中的瞬時電流。該器件的耐高壓特性使其適用于多種工業(yè)和家用電機控制系統(tǒng)。

3. **LED照明驅(qū)動**  
  在LED照明驅(qū)動電路中,LR3140-VB 適合用于電流調(diào)節(jié)和控制。其低RDS(ON)特性能夠減少能量損耗,確保LED在不同工作條件下實現(xiàn)穩(wěn)定的亮度輸出,從而提高照明系統(tǒng)的能效。

4. **電池充電器**  
  LR3140-VB 還可用于電池充電器中,尤其是在需要高效能量管理的場合。其優(yōu)良的開關(guān)性能和低功耗特性使其能夠在充電過程中保持高效率,延長電池壽命并提高充電效率。

LR3140-VB 的優(yōu)異性能和設(shè)計使其成為多個行業(yè)和應(yīng)用中的理想選擇,特別是在需要高效能量管理和開關(guān)的系統(tǒng)。

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