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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR3715Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR3715Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

LR3715Z-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝在TO252型封裝中。該MOSFET具有最大漏源電壓(VDS)為20V,適用于低電壓應(yīng)用。其柵源電壓(VGS)可達(dá)±20V,開(kāi)啟電壓(Vth)范圍在0.5V至1.5V之間,適應(yīng)性強(qiáng)。在柵源電壓為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為4.5mΩ,而在2.5V時(shí)為6mΩ,支持高達(dá)100A的漏極電流(ID)。這種優(yōu)良的性能使LR3715Z-VB在高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用中具備了卓越的功率轉(zhuǎn)換能力,特別適合各種電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **電源管理系統(tǒng)**:LR3715Z-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、線性穩(wěn)壓器等,有助于提高系統(tǒng)效率,降低功耗。

2. **電動(dòng)汽車**:該MOSFET適合用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng),能夠有效控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池充放電,保證電動(dòng)汽車在高負(fù)載和高效率下運(yùn)行。

3. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:LR3715Z-VB 的高電流處理能力使其適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高功率LED,提高照明效果,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和汽車照明等領(lǐng)域。

4. **電機(jī)控制**:該器件適合用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng),能夠在各種工作條件下提供穩(wěn)定的高電流輸出,確保電機(jī)的高效運(yùn)行。

5. **便攜式設(shè)備**:由于其低電壓和高電流能力,LR3715Z-VB 也適合用于便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦等,為設(shè)備提供高效的電源開(kāi)關(guān)解決方案。

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