--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介:
LR7834-VB 是一款高性能的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,設計用于高電流和高開關頻率的應用場合。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **30V**,支持高達 **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。LR7834-VB 的柵極閾值電壓 (Vth) 為 **1.7V**,可以在較低的柵極驅(qū)動電壓下快速導通。其導通電阻為 **3mΩ@VGS=4.5V** 和 **2mΩ@VGS=10V**,在 **120A 的漏極電流 (ID)** 下具有出色的性能,確保最低的能量損耗。這款 MOSFET 采用 **Trench 技術**,提供了優(yōu)越的導電性能,適合各種電源管理和高頻開關電路。
### 2. 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:120A
- **技術**:Trench 技術
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:取決于散熱設計與應用場景(TO252 封裝下的散熱管理)
### 3. 應用領域與模塊示例:
LR7834-VB MOSFET 在多個 **電力電子領域** 中具有廣泛的應用,尤其是在高電流和高效率需求的情況下,例如:
- **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 非常適合用于開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠有效地管理電能轉(zhuǎn)換,減少能量損耗,在高電流輸出的情況下表現(xiàn)優(yōu)異。
- **電動機驅(qū)動**:在無刷直流電機(BLDC)和步進電機驅(qū)動應用中,LR7834-VB 的高電流能力和低導通電阻使其能夠高效地控制電機的啟動和運行,確保功率輸出的穩(wěn)定性和效率。
- **逆變器**:LR7834-VB 適用于光伏發(fā)電和風力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器,能夠?qū)⒅绷麟姼咝У剞D(zhuǎn)換為交流電,并在變化負載條件下提供穩(wěn)定的電能輸出,確??稍偕茉吹母咝Ю?。
- **汽車電子**:在電動汽車和混合動力汽車的電氣系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理和電源分配模塊,能夠處理高電流需求,從而提高系統(tǒng)的能效和安全性,尤其適合電動車輛的動力系統(tǒng)和電池充電管理。
通過這些特點,LR7834-VB 在高效率、低功耗和高電流的應用場合中能夠提供卓越的性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12