91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

LR8113V-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR8113V-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介(LR8113V-VB)**

LR8113V-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于中低壓、高電流應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,漏極電流(ID)高達100A?;谙冗M的溝槽(Trench)技術,LR8113V-VB具有極低的導通電阻(RDS(ON)),確保在多種電壓條件下實現(xiàn)高效能和低損耗。該器件的設計使其特別適合要求高電流密度和高效率的應用場合,如電源管理、汽車電子和工業(yè)控制等。

**詳細參數(shù)說明**

- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ@VGS=4.5V
 - 2mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:100A
- **技術類型**:Trench(溝槽技術)

**應用領域與模塊舉例**

1. **電源管理系統(tǒng)**:LR8113V-VB特別適合用于電源適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效電源管理模塊。其低導通電阻特性確保了在轉(zhuǎn)換過程中極小的能量損耗,提高了系統(tǒng)效率,適用于筆記本、移動設備充電器等應用。

2. **電動汽車電子**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機控制中,LR8113V-VB表現(xiàn)出色。它的高電流承載能力和低導通電阻確保了大電流環(huán)境下的高效開關操作,從而優(yōu)化了能源使用效率,減少了系統(tǒng)發(fā)熱,適合用于電動驅(qū)動系統(tǒng)和高效充電系統(tǒng)。

3. **工業(yè)自動化與控制**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,LR8113V-VB可用于電機驅(qū)動、開關電源和負載控制模塊。其高電流處理能力和快速開關特性能夠在電機驅(qū)動器中提供穩(wěn)定的電力控制,提升工業(yè)設備的運行可靠性和效率。

4. **消費電子產(chǎn)品**:該MOSFET同樣適用于高效的消費電子產(chǎn)品中,如電視、家庭音響系統(tǒng)和其他電力密集型設備。其低損耗和高效開關能力可幫助這些設備實現(xiàn)更長的使用壽命和更低的功耗。

總的來說,LR8113V-VB憑借其高效的電氣性能和低損耗特點,適合應用于各種需要高電流、高效率的電源管理和控制模塊中,確保系統(tǒng)在高負載條件下的可靠性和效率。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    419瀏覽量