--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 46mΩ@VGS=10V
- ID -35A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、LR9343-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LR9343-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench溝槽技術(shù),具有高效能的電流傳導(dǎo)和開關(guān)特性。其最大漏源電壓(VDS)為-60V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為-1.7V。該器件在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下仍具有低導(dǎo)通電阻,分別為58mΩ@VGS=4.5V 和 46mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為-35A,適用于電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。TO252封裝確保了優(yōu)良的散熱性能,能夠適應(yīng)高功率密度和緊湊空間設(shè)計(jì)需求。
### 二、LR9343-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
1. **封裝類型**: TO252
- 緊湊型封裝,適用于高功率密度應(yīng)用,確保良好的散熱性能。
2. **溝道類型**: 單P溝道 (Single-P-Channel)
- 適用于高側(cè)開關(guān)電路,有助于在負(fù)電源軌或負(fù)載接地情況下控制功率。
3. **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- 最大耐壓為-60V,適合中低壓電路中進(jìn)行電源控制和負(fù)載管理。
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- 最大柵源電壓范圍為±20V,適用于廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)計(jì)。
5. **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- 閾值電壓較低,能夠在低驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)響應(yīng)。
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 58mΩ @ VGS=4.5V
- 46mΩ @ VGS=10V
- 低導(dǎo)通電阻特性可有效降低功耗,適合需要高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。
7. **漏極電流 (ID)**: -35A
- 支持高達(dá)-35A的連續(xù)漏極電流,適合高功率負(fù)載應(yīng)用。
8. **技術(shù)**: Trench 溝槽技術(shù)
- 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供高效能的電流傳導(dǎo)和低開關(guān)損耗。
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **電源管理和穩(wěn)壓器**
LR9343-VB 特別適合用于電源管理模塊中,作為P溝道MOSFET,它在負(fù)載開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其成為中低壓電源轉(zhuǎn)換器中的理想元件,能夠提高轉(zhuǎn)換效率并減少熱量產(chǎn)生。
2. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**
在需要控制大功率負(fù)載的場(chǎng)景中,如電池管理系統(tǒng)和智能開關(guān)設(shè)備,LR9343-VB 具有快速響應(yīng)和低功耗的特點(diǎn)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定工作。
3. **逆變器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
LR9343-VB 也常用于逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中。其-60V的耐壓和-35A的電流處理能力,使其能夠在高頻開關(guān)電路中有效工作,確保逆變器和電機(jī)的高效運(yùn)行,適合應(yīng)用于電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。
4. **消費(fèi)電子設(shè)備**
在消費(fèi)電子領(lǐng)域,尤其是便攜式設(shè)備的電源管理和充電保護(hù)電路中,LR9343-VB 的P溝道特性和低功耗設(shè)計(jì)提供了高效、可靠的解決方案,適用于智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備的充電電路。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛