91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

LSG07N65A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LSG07N65A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、LSG07N65A-VB 產品簡介

LSG07N65A-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具有優(yōu)異的電氣性能和可靠性。該器件支持最高650V的漏源電壓(VDS),適合用于高壓應用。其最大漏極電流(ID)為9A,能夠滿足中等功率電路的需求。LSG07N65A-VB在VGS=10V時的導通電阻(RDS(ON))為500mΩ,確保了良好的開關效率和較低的功耗。采用SJ_Multi-EPI技術制造,提供出色的熱性能和開關特性,適合各種工業(yè)和商業(yè)應用。

### 二、LSG07N65A-VB 詳細參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **結溫范圍 (Tj)**: -55°C 至 +150°C

### 三、適用領域和模塊說明

1. **電源轉換器**
  - LSG07N65A-VB可廣泛用于開關電源(SMPS)設計,適合在高電壓和中等電流的條件下穩(wěn)定工作。它能夠有效控制電壓和電流,提升能效,降低功耗,適用于各種電源適配器和充電器。

2. **電動機驅動**
  - 該MOSFET在電機控制應用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于控制直流電機和步進電機,特別是在需要650V電壓的高壓驅動應用中,可以提供穩(wěn)定的電流輸出和響應。

3. **照明和LED驅動**
  - LSG07N65A-VB適用于LED照明解決方案中的開關控制部分,能夠高效管理LED的驅動電流,確保其穩(wěn)定性和效率,適合家庭和商業(yè)照明系統(tǒng)。

4. **逆變器和可再生能源系統(tǒng)**
  - 在太陽能逆變器和風能轉換系統(tǒng)中,該器件能夠提供必要的電壓和電流控制,確保電能的高效轉化和利用,是可再生能源領域的理想選擇。

5. **電氣控制裝置**
  - LSG07N65A-VB還可應用于各種電氣控制模塊,如繼電器、保護電路和開關電路等,能在高壓環(huán)境下提供可靠的性能,確保設備的安全運行。

通過其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性,LSG07N65A-VB能夠滿足高壓、小電流應用的需求,是工業(yè)和商業(yè)領域中理想的選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    419瀏覽量