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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LSG07N65-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LSG07N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LSG07N65-VB是一款高效N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏源電壓(VDS)為650V,能夠承受極端工作條件下的電壓。該器件在10V柵極電壓(VGS)下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為500mΩ,最大漏電流(ID)為9A,確保了其在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定性能。LSG07N65-VB采用SJ_Multi-EPI技術(shù),提供優(yōu)異的熱性能和可靠性,適合用于現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和功率轉(zhuǎn)換。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:LSG07N65-VB
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ(@ VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:LSG07N65-VB非常適合用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器,尤其是在需要高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景,如電源適配器、充電器和開(kāi)關(guān)電源,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電流。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**:該MOSFET適合用于工業(yè)控制系統(tǒng)中,可以用作電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,控制小型電動(dòng)機(jī)和泵的啟動(dòng)和運(yùn)行,提供高電壓下的穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)。

3. **LED照明**:在LED驅(qū)動(dòng)電路中,LSG07N65-VB可有效控制電流,確保LED燈具在高電壓條件下的安全和高效運(yùn)行,適合用于大功率LED照明模塊。

4. **電力管理系統(tǒng)**:LSG07N65-VB能夠在電力管理和分配系統(tǒng)中作為開(kāi)關(guān)元件,適用于高電壓負(fù)載控制,提升電源系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

5. **可再生能源應(yīng)用**:該器件適用于太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng),能夠在高電壓和高電流條件下實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,提高可再生能源設(shè)備的整體性能。

LSG07N65-VB MOSFET的高電壓和高電流處理能力使其在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著重要角色,提供電源管理、照明控制和工業(yè)應(yīng)用中的高效可靠解決方案。

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