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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LSG11N65E-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LSG11N65E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LSG11N65E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
LSG11N65E-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極耐壓(VDS)高達(dá)650V,柵極-源極電壓(VGS)范圍為±30V,確保其在多種工作條件下的可靠性。其閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為370mΩ @ VGS=10V,最大漏極電流(ID)為11A。憑借其SJ_Multi-EPI技術(shù),LSG11N65E-VB 提供出色的熱穩(wěn)定性和高功率處理能力,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及高壓驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

### 二、LSG11N65E-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  
- **封裝類型**:TO252  
- **極性配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  

### 三、適用領(lǐng)域和應(yīng)用模塊  
1. **高效開關(guān)電源 (SMPS)**  
  LSG11N65E-VB 非常適合用于高效開關(guān)電源中,能夠在650V的高壓下高效工作。其低導(dǎo)通電阻特性能顯著降低能量損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源和工業(yè)電源設(shè)備。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**  
  此款MOSFET 可以應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,特別是在需要控制11A電流的中等功率電機(jī)中。它在電動(dòng)工具、家電和工業(yè)設(shè)備的電機(jī)控制中提供高效的性能,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **高壓直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC Converter)**  
  LSG11N65E-VB 可用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別適合將高電壓DC電源轉(zhuǎn)換為其他電壓等級(jí)。其高電壓和高電流處理能力使其非常適合于電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器**  
  在高壓LED照明應(yīng)用中,該MOSFET 能有效驅(qū)動(dòng)高功率LED燈,提供穩(wěn)定的電流,確保LED的亮度和壽命。適用于商業(yè)和工業(yè)照明系統(tǒng)。

5. **電池管理系統(tǒng)**  
  LSG11N65E-VB 在電池管理系統(tǒng)中可用于電池充放電控制,尤其是在高壓電池組中。其可靠性和高電壓能力確保電池在充放電過(guò)程中的安全性,適合電動(dòng)汽車和能源存儲(chǔ)解決方案。

總之,LSG11N65E-VB 以其高電壓、高效率的特點(diǎn),成為電源管理和控制應(yīng)用的理想選擇,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

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