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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG11N65F-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LSG11N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LSG11N65F-VB 產(chǎn)品簡介

LSG11N65F-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 達到 650V,柵源電壓 (VGS) 可在 ±30V 范圍內(nèi)變化,具有良好的電氣特性和熱穩(wěn)定性。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,能夠有效控制開關(guān)狀態(tài)。在 VGS = 10V 時,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 370mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 11A,適合用于各種電力電子應(yīng)用。

### LSG11N65F-VB 的詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252
2. **溝道配置**:單 N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:650V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±30V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 370mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:11A
8. **技術(shù)類型**:多結(jié)襯底技術(shù) (SJ_Multi-EPI)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:LSG11N65F-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。其高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻使其在電源轉(zhuǎn)換過程中能夠有效降低能量損耗,提升整體能效。

2. **電機驅(qū)動**:該 MOSFET 適合于電機驅(qū)動模塊,能夠提供高效的電流控制,確保電機在啟動和運行過程中的穩(wěn)定性和可靠性,尤其適用于風(fēng)扇、電動工具等中小型電機。

3. **逆變器**:LSG11N65F-VB 在逆變器應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在可再生能源系統(tǒng)(如太陽能逆變器)中,能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電,實現(xiàn)高效的能源利用,提升系統(tǒng)性能。

4. **LED 驅(qū)動電源**:在 LED 驅(qū)動電源中,LSG11N65F-VB 可用于調(diào)節(jié)電流,提供穩(wěn)定的輸出,確保 LED 照明系統(tǒng)的高效和長壽命,適合用于各種照明解決方案。

5. **電池管理系統(tǒng)**:LSG11N65F-VB 可以在電池管理系統(tǒng)中用作開關(guān)元件,控制電池的充放電過程,保障電池在高壓下的安全操作,延長電池的使用壽命。

LSG11N65F-VB 作為一款高性能 MOSFET,憑借其優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的元件之一。

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