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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LSG65R570GT-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LSG65R570GT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**LSG65R570GT-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應用設計。該器件的漏源電壓(VDS)達到 650V,使其能夠在多種高電壓電子電路中穩(wěn)定工作。其門源電壓(VGS)范圍為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,保證了良好的開關(guān)性能。在 VGS=10V 的情況下,導通電阻(RDS(ON))為 500mΩ,提供高效的電流傳輸,適合大功率應用。LSG65R570GT-VB 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具備優(yōu)異的熱性能和可靠性,確保在苛刻條件下的穩(wěn)定工作。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 說明                                   |
|------------------|----------------------------------------|
| **型號**         | LSG65R570GT-VB                        |
| **封裝**         | TO252                                  |
| **配置**         | 單 N 通道                              |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V                                  |
| **門源電壓 (VGS)** | ±30V                                  |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V                                  |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 500mΩ @ VGS=10V                   |
| **最大漏電流 (ID)** | 9A                                    |
| **技術(shù)**         | SJ_Multi-EPI                          |

### 應用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源**:
  LSG65R570GT-VB 在高壓開關(guān)電源設計中表現(xiàn)出色,適用于電源適配器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高 VDS 值和低導通電阻特性有效提高了轉(zhuǎn)換效率,降低了功率損耗。

2. **電機驅(qū)動**:
  該 MOSFET 可以用于電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中,尤其是在變頻器應用中,能夠提供精確的電流控制和高效的能量傳輸,確保電機平穩(wěn)運行。

3. **LED 照明**:
  LSG65R570GT-VB 可應用于 LED 驅(qū)動電路,特別是在高電壓 LED 照明系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定的電流輸出,提升照明效果并延長燈具的使用壽命。

4. **工業(yè)自動化設備**:
  在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高壓電源模塊,支持各種高電壓和高功率的工業(yè)設備,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

5. **再生能源系統(tǒng)**:
  LSG65R570GT-VB 在太陽能逆變器和風能系統(tǒng)中也有廣泛應用,適合高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換,提高能量轉(zhuǎn)換效率,支持可再生能源的有效利用。

通過這些應用示例,LSG65R570GT-VB 顯示出其在高電壓、高功率領(lǐng)域中的廣泛適用性,尤其適用于要求高效能和高可靠性的電力電子設備。

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