--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### ME60N03AS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
ME60N03AS-VB 是一款采用 TO-252 封裝的單 N 通道 MOSFET,專(zhuān)為高效能電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 20V,支持 ±20V 的柵源電壓(VGS),并能夠承載高達(dá) 100A 的漏電流。其閾值電壓(Vth)范圍在 0.5V 到 1.5V 之間,確保低電壓下即可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)通。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在 VGS 為 2.5V 和 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為 6mΩ 和 4.5mΩ,提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能和低損耗。
---
### ME60N03AS-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **說(shuō)明** |
|-------------------------|-----------------------------|
| **封裝** | TO-252 |
| **配置** | 單 N 通道 |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 20V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ (VGS = 2.5V) |
| | 4.5mΩ (VGS = 4.5V) |
| **最大漏電流 (ID)** | 100A |
| **技術(shù)** | Trench |
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
ME60N03AS-VB 憑借其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能,可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. **電源管理與負(fù)載開(kāi)關(guān)**
適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)模塊,在大電流下提供穩(wěn)定的負(fù)載控制和高效率,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、通信基站和計(jì)算系統(tǒng)。
2. **汽車(chē)電子系統(tǒng)**
在汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)以及車(chē)載電源管理模塊中,ME60N03AS-VB 的高電流承載能力和低損耗特性能夠提升系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。
3. **電動(dòng)工具和電動(dòng)機(jī)控制**
該 MOSFET 非常適合用于電動(dòng)工具和小型電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,確保設(shè)備在大功率輸出時(shí)具備快速響應(yīng)和可靠運(yùn)行的能力。
4. **消費(fèi)類(lèi)電子和智能家居**
在智能家居設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品和家電的電源管理模塊中,ME60N03AS-VB 提供高效的電流控制,幫助設(shè)備減少功耗并提高電池續(xù)航時(shí)間。
5. **太陽(yáng)能和能源存儲(chǔ)系統(tǒng)**
ME60N03AS-VB 可作為太陽(yáng)能逆變器中的開(kāi)關(guān)元件,用于提升能源轉(zhuǎn)換效率,并在儲(chǔ)能系統(tǒng)中優(yōu)化電池充放電過(guò)程。
ME60N03AS-VB 是一款適用于多種電力電子模塊的高性能 MOSFET,可幫助設(shè)計(jì)人員在高效能與低損耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛