91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

MTD3055ET4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD3055ET4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**MTD3055ET4G-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低壓、高電流應用而設計。其優(yōu)越的 Trench 技術實現(xiàn)了低導通電阻和高效的電流控制,使其在各種電源管理和開關電路中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 60V,適合多種電氣設備的應用,最大漏電流可達 18A,能夠應對高負載需求,廣泛用于工業(yè)和消費電子產(chǎn)品中。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:MTD3055ET4G-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:單 N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V  
- **漏電流 (ID)**:18A  
- **技術**:Trench  

### 應用領域和模塊

1. **電源轉換器**:
  MTD3055ET4G-VB 常用于開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器中,作為高效的開關器件,能夠提供穩(wěn)定的電力輸出和高效的能量轉換。其低導通電阻可減少能量損耗,提高整體效率。

2. **電動機驅動**:
  該 MOSFET 在電動機控制電路中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于各種直流電動機和步進電動機的驅動。由于其高電流處理能力和快速開關特性,能夠有效地控制電機的運行狀態(tài),提高系統(tǒng)的響應速度。

3. **照明控制**:
  在 LED 照明驅動應用中,MTD3055ET4G-VB 可用于控制 LED 的開關狀態(tài),提供穩(wěn)定的電流,從而實現(xiàn)高效的照明解決方案,適用于商業(yè)和住宅照明系統(tǒng)。

4. **消費電子產(chǎn)品**:
  由于其緊湊的封裝和高性能,該 MOSFET 適合用于便攜式設備和消費電子產(chǎn)品中的電源管理和開關控制電路,提高了設備的能效和運行穩(wěn)定性。

5. **電池管理系統(tǒng)**:
  MTD3055ET4G-VB 還可應用于電池管理系統(tǒng),特別是在電動汽車和儲能設備中,負責電池的充放電控制,確保系統(tǒng)的安全和高效運行。

MTD3055ET4G-VB 的優(yōu)越性能和多樣化的應用場景使其成為現(xiàn)代電子設計中不可或缺的組件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    494瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    417瀏覽量